1、晶圆双面减薄与平面研磨
硅棒切片之后，去除线切造成的表面锯痕、起伏与应力层，快速减薄到目标厚度；磨粒自锐，切削稳定，高效平整晶圆，控制TTV总厚度偏差，为后续CMP化学机械抛光做预处理。6/8/12英寸单晶硅片、光伏硅片都适用。
2、晶圆边缘倒角研磨
对晶圆外圆边缘倒角、去崩边。防止后续工序裂片，改善边缘应力，提升整片良率。粒度可控，减少边缘微小裂纹。
3、第三代半导体衬底研磨（SiC、GaN晶片）
加工碳化硅晶圆、氮化镓外延衬底，绿碳化硅材质硬度接近，研磨应力小，不容易产生深层亚表面损伤；低重金属杂质，不会污染衬底，保障功率芯片电学性能，是新能源车功率器件衬底加工耗材。
4、蓝宝石、砷化镓等光电衬底预研磨
LED蓝宝石衬底、砷化镓晶片的粗磨、半精磨，去除切片损伤层，获得均匀平整基面，便于外延层生长。
5、CMP抛光前粗抛/半精抛
作为CMP前置工序磨料，快速降低表面粗糙度，减少CMP昂贵抛光液消耗，平衡加工效率与表面质量；超细规格可做轻度镜面预抛。
